娇BBB搡BBBB揉BBBB,女BBBB槡BBBB槡BBBB,欧美搡BBBBB搡BBBBB,四川少妇BBW搡BBBB槡BBBB,滋润BBWWBWWBBWW,四川少妇搡BBW搡BBBB,另类老妇性BBWBBW
400-9619-005

當前所在位置: 首頁 > 產(chǎn)品首頁 >電力、電子、半導體 >光學器件 >LASER QUANTUM太赫茲發(fā)射器Tera-SED3

LASER QUANTUM太赫茲發(fā)射器Tera-SED3

有效的太赫茲 (THz) 輻射源對于各種科學和技術應用非常重要。重要的關鍵因素是大帶寬和高太赫茲電場...

產(chǎn)品介紹

有效的太赫茲 (THz) 輻射源對于各種科學和技術應用非常重要。重要的關鍵因素是大帶寬和高太赫茲電場幅度。這通常意味著較大的發(fā)射極面積,并且在傳統(tǒng)概念中需要高偏置電壓(數(shù)百伏)以實現(xiàn)必要的偏置場強,通常在 kV/cm 范圍內。Tera-SED 的主要優(yōu)勢是大有效面積和低偏置電壓要求的組合。

Tera-SED 是一種平面大面積基于 GaAs 的光電導發(fā)射器,用于脈沖生成寬帶太赫茲輻射。 它具有新穎的叉指式電極 MSM 結構,允許在單個電極之間具有 kV/cmbias 場的大活性區(qū)域。只需要低外部偏置電壓,無需脈沖高壓電源。其靈活的可擴展設備技術使 Tera-SED 成為有效率且多功能的太赫茲發(fā)射器。

Tera-SED 不需要外部冷卻。它連接到適合 1 英寸光學安裝座的金屬支架。易用性和輕松對齊是關鍵資產(chǎn)。

Tera-SED 有兩種不同的版本:10x10 mm2 可用區(qū)域用于放大 fs-laser 系統(tǒng)(脈沖能量高達 300 μJ,從 ~10 μJ 飽和)和 3x3 mm2 可用區(qū)域適合與 fs-laser 一起使用振蕩器。

性能特點

  • 大面積太赫茲發(fā)射器
  • 低外部偏置電壓
  • 無需外部冷卻
  • 叉指設計

選型指南

技術參數(shù)


返回首頁 | 產(chǎn)品中心 | 客戶中心 | 人才中心 | 合作平臺 | 聯(lián)系方式


友情鏈接賽力斯

Copyright? 2013-2024 天津西納智能科技有限公司 版權所有
電話:400-9619-005
傳真:400-9619-005
聯(lián)系人:余子豪 400-9619-005
郵箱:sales@e-xina.com
地址:天津市和平區(qū)南京路235號河川大廈A座22D

a

津公網(wǎng)安備12010102000946號 津ICP備13001985號-1

掃描微信二維碼關注我們

QQ聯(lián)系
加企業(yè)微信咨詢
娇BBB搡BBBB揉BBBB,女BBBB槡BBBB槡BBBB,欧美搡BBBBB搡BBBBB,四川少妇BBW搡BBBB槡BBBB,滋润BBWWBWWBBWW,四川少妇搡BBW搡BBBB,另类老妇性BBWBBW